巢湖西門(mén)子授權(quán)總代理

SIEMENS潯之漫智控技術(shù)（上海）有限公司

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　　1、確定方案

　　被控對(duì)象較差，工藝復(fù)雜，考慮用PLC控制。

　　控制很簡(jiǎn)單，可考慮用繼電器控制。

　　用PLC控制，首先要了解的工作及所有功能要求，從而分析被控對(duì)象的控制，輸入/輸出量是開(kāi)關(guān)量還是模擬量，明確控制要求，繪出控制的流程圖。

　　2、選擇PLC機(jī)型

　　PLC在可靠性上是沒(méi)有問(wèn)題的，機(jī)型的選擇主要是考慮在功能上的要求。

　　機(jī)型的選擇依據(jù)：控制對(duì)象的輸入量、輸出量

　　工作電壓

　　輸出功率

　　現(xiàn)場(chǎng)對(duì)的響應(yīng)速度要求

　　控制室與現(xiàn)場(chǎng)的距離等。

　　3、選擇I/O設(shè)備，列出I/O地址分配表

　　輸出設(shè)備：控制按鈕、行程開(kāi)關(guān)、接近開(kāi)關(guān)等

　　輸出設(shè)備：器、電磁閥、燈等

　　1）確定輸入、輸出設(shè)備的型號(hào)和數(shù)量；

　　2）列寫(xiě)輸入/輸出設(shè)備與PLC的I/O地址對(duì)照表；

　　3）繪制接線(xiàn)圖及編程。

　　分配I/O地址時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：

　　1）把所有按鈕、行程開(kāi)關(guān)等集中配置，按順序分配I/O地址。

　　2）每個(gè)I/O設(shè)備占用1個(gè)I/O地址。

　　3）同一類(lèi)型的I/O點(diǎn)應(yīng)盡量安排在同一個(gè)區(qū)。

　　4）彼此有關(guān)的輸出器件，如電動(dòng)機(jī)正反轉(zhuǎn)，其輸出地址應(yīng)連續(xù)分配。

　　4、設(shè)計(jì)電氣線(xiàn)路圖

　　1）繪制電動(dòng)機(jī)的主電路及PLC外部的其它控制電路圖。

　　2）繪制PLC的I/O接線(xiàn)圖

　　注：接在PLC輸入端的電器元件一律為常開(kāi)觸點(diǎn)，如停止按鈕等。

　　2）繪制PLC及I/O設(shè)備的供電圖

　　輸入電路一般由PLC內(nèi)部提供電源，輸出電路根據(jù)負(fù)載的額定電壓外接電源。

　　5、程序設(shè)計(jì)與調(diào)試

　　程序設(shè)計(jì)可用設(shè)計(jì)法或功能表圖設(shè)計(jì)法，或者是兩者的組合。

　　6、總裝調(diào)試

　　接好硬件線(xiàn)路，把程序輸入PLC中，聯(lián)機(jī)調(diào)試。

　　湖州西門(mén)子S7-400PLC模塊代理商

　　PLC包含輸入模塊、輸出模塊和輸入/輸出模塊。因?yàn)樵S多輸入和輸出都涉及現(xiàn)實(shí)中的模擬變量——而控制器是數(shù)字式的—PLC硬件設(shè)計(jì)任務(wù)將主要圍繞如下方面展開(kāi)：數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、輸入和輸出調(diào)理、輸入/輸出模塊的電氣連線(xiàn)與控制器之間以及模塊相互之間的隔離問(wèn)題。

　　I/O模塊的分辨率范圍從12位到16位，在整個(gè)工業(yè)級(jí)溫度范圍的精度為0.1%。模擬輸出電壓范圍通常為±5V、±10V或者0V~5V、0V~10V，電流范圍為4~20mA或0~20mA。對(duì)DAC的時(shí)間要求，從10ms一直到100ms，具體則取決于應(yīng)用的實(shí)際要求。模擬輸入范圍廣泛，由電橋傳感器輸出的±10mV微弱電壓;也有電機(jī)控制器±10V的電壓，或者工業(yè)控制的4~20mA電流。轉(zhuǎn)換時(shí)間則取決于所要求的精度和所選用的ADC架構(gòu)，從10SPS到幾百KSPS。

　　數(shù)字隔離器、光耦隔離器或者電磁隔離器用來(lái)將現(xiàn)場(chǎng)的ADC、DAC和調(diào)理電路與數(shù)字端的控制器隔離開(kāi)來(lái)。如果模擬端的也必須實(shí)現(xiàn)充分隔離的話(huà)，在輸入或者輸出的每個(gè)通道必須采用轉(zhuǎn)換器以便大限度通道間的隔離度—電源的隔離也是必需的。

　　iCMOS 工藝

　　iCMOS技術(shù)是一種新型的高性能制造工藝，它將高壓的集成電路與亞微米級(jí)CMOS和互補(bǔ)雙極型工藝融為一體，在PLC設(shè)計(jì)的輸入、輸出部分所使用。

　　iCMOS技術(shù)使得單芯片的設(shè)計(jì)能夠融合5V CMOS并實(shí)現(xiàn)其與電壓更高的(16、24或者30V)CMOS電路的匹配——于是同一塊芯片將擁有多路不同電壓的電源。由于能夠如此靈活地將各種元件和工作電壓集成到一起，亞微米的iCMOS 器件具有更高的性能，其集成的功能更多，而功耗更低——而且所需要的電路板面積大大小于前幾代高壓產(chǎn)品。其中的雙極型工藝為ADC、DAC和低失調(diào)放大器提供了的基準(zhǔn)源，出色的匹配特性和高度的性。

　　薄膜電阻具有高達(dá)12位的初始匹配特性，經(jīng)過(guò)修調(diào)后可以實(shí)現(xiàn)16位的匹配，溫度和電壓系數(shù)與的多晶硅的電阻相比，了20倍，是高準(zhǔn)確度、高精度的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的選擇。片上的薄膜熔斷器使得高精度轉(zhuǎn)換器的積分非線(xiàn)性、偏置和增益等性能可以用數(shù)字化的技術(shù)來(lái)校準(zhǔn)。